সিলিকন নাইট্রাইড হিটিং এলিমেন্ট একটি গুরুত্বপূর্ণ ধরনের উচ্চ তাপমাত্রার স্ট্রাকচারাল সিরামিক। এটিতে কম তাপ সম্প্রসারণ সহগ, উচ্চ কঠোরতা, উচ্চ স্থিতিস্থাপক মডুলাস, তাপীয় তাপমাত্রা কর্মক্ষমতা, রাসায়নিক স্থায়িত্ব এবং ভাল প্রান্তের বৈশিষ্ট্য রয়েছে। উপরন্তু, এটি জারণ এবং জারা প্রতিরোধী। সুবিধার কারণে এটি আবেদনের সম্ভাবনা তৈরি করে। বিশুদ্ধ সিলিকন নাইট্রাইড ঘরের তাপমাত্রায় মাইক্রোওয়েভ শক্তি শোষণ করে না। এটি প্রায় একটি মাইক্রোওয়েভ স্বচ্ছ পদার্থ এবং গরম করার জন্য তার নিজস্ব ডাইলেক্ট্রিক ক্ষতির উপর নির্ভর করে। সিন্টারিং তাপমাত্রায় সমানভাবে গরম করার জন্য নমুনা কীভাবে প্রচার করা যায় তা সিনটারিংয়ের মূল চাবিকাঠি। সিলিকন নাইট্রাইড সিরামিকের ডাইলেক্ট্রিক ক্ষতি শুধু খুব কম নয় বরং তাপমাত্রার সাথে খুব বেশি পরিবর্তন হয় না এবং এর তাপ পরিবাহিতাও ভালো নয়। গরম করার সময়, নমুনা ক্র্যাকিং এবং আর্সিং বা স্থানীয় অতিরিক্ত গরম হওয়ার সম্ভাবনা নেই।
উচ্চ-বিশুদ্ধতা α-Si3N4 পাউডার কাঁচামাল হিসাবে ব্যবহার করুন, Al2O3, Y2O3 সিন্টারিং এডস হিসাবে, পরিমাণ 1 যোগ করুন, মিশ্রণের পরে অ্যালকোহল ব্যবহার করুন, 24 ঘণ্টার জন্য Al2O3 বল দিয়ে বল মিল, শুকনো এবং ছড়িয়ে দিন, 30MPa চাপ দিয়ে গুঁড়োটি প্রেস করুন। এবং তারপর 200MPa প্রেস ব্যবহার করুন isostatically 24 × 12 (mm) এর একটি নমুনা তৈরি করতে। 2.45GHz, 6kW মাইক্রোওয়েভ ওভেন, হিটিং রেট 25 ℃/মিনিট ব্যবহার করুন; প্রচলিত সিন্টারিং গ্রাফাইট চুল্লি চাপহীন সিন্টারিং গ্রহণ করে, ফায়ারিং সিস্টেম মাইক্রোওয়েভ সিন্টারিংয়ের মতো এবং এগুলি সব নাইট্রোজেন বায়ুমণ্ডলে বহিস্কার করা হয়।
যেহেতু মাইক্রোওয়েভে temperatures-Si3N4 এর ক্ষতি কম তাপমাত্রায় খুবই ছোট, তাই কম তাপমাত্রায় মাইক্রোওয়েভ শোষণ করে এমন গরম করার উপাদান হিসেবে SiC প্রয়োজন। যখন নমুনার তাপমাত্রা 1390 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেডের গুরুত্বপূর্ণ তাপমাত্রা অতিক্রম করে, এটি তাপ উৎপন্ন করার জন্য মাইক্রোওয়েভ শোষণ করবে। ফলাফলগুলি দেখায় যে মাইক্রোওয়েভগুলি গতি এবং ঘনত্বের মধ্যে α-phase-phase-phase-phase-Si3N4 এর রূপান্তর করতে পারে। 1750 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেডে মাইক্রোওয়েভ সিন্টারিং এবং প্রচলিত সিন্টারিং নমুনার স্ক্যানিং ইলেকট্রন মাইক্রোগ্রাফ তুলনা করে, একই সূত্র এবং একই সিন্টারিং সিস্টেমের অধীনে, মাইক্রোওয়েভ সিন্টার্ড ম্যাট্রিক্সের ম্যাট্রিক্সে বৃহত্তর প্রসারিত কণা রয়েছে এবং অনুপাত এবং কণার আকার দীর্ঘায়িত কণা উভয়ই ছাড়াও, প্রচলিত সিন্টার্ড নমুনায় এমন সুই-এর মতো Si-Si3N4 নমুনা নেই, এমনকি যদি এটি মাইক্রোওয়েভ সিন্টারিংয়ের সময় 1725 ডিগ্রি সেলসিয়াসে রাখা হয়, তবে 1800 ডিগ্রি সেলসিয়াসে প্রচলিত সিন্টারিং এত বড় সংখ্যা পেতে পারে না সুই-এর মতো Si-Si3N4 নমুনা।
